کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
702755 | 891108 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Deposition of stress-free diamond films on Si by diamond/β-SiC nanocomposite intermediate layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Stress-free diamond films have been synthesized by using microwave plasma enhanced chemical vapour deposition (MWCVD) technique. Nanocrystalline diamond/β-SiC gradient composite film system was used as an interlayer for the diamond top layers. As a result, Raman phonon line shifts (obtained from diamond top layers) corresponding to diamond are recorded very close to the stress-free value of 1332 cm− 1. This implies an extraordinarily low biaxial compressive stress state in the diamond films. The interlayer accommodates to a considerable extent, the stress that occurs due to the difference in the thermal expansion coefficient of the diamond film and the underlying substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 18, Issue 10, October 2009, Pages 1326–1331
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 18, Issue 10, October 2009, Pages 1326–1331
نویسندگان
Vadali V.S.S. Srikanth, Thorsten Staedler, Xin Jiang,