کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
702863 | 891117 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of nanometer-size high-density pits on epitaxial diamond (100) films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the formation of pits having widths of approximately 10 nm and a density of 2.5 × 1011/cm2 on epitaxial diamond (100) films. The pits are formed by etching the films using atomic hydrogen at a substrate temperature of approximately 500 °C. Exposure to oxygen followed by etching with atomic hydrogen forms additional pits. We propose that the high-density pits are formed due to etching that occurs both perpendicular and parallel to the surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issue 9, September 2007, Pages 1727–1731
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issue 9, September 2007, Pages 1727–1731
نویسندگان
R.E. Stallcup II, Y. Mo, T.W. Scharf, J.M. Perez,