کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
702896 | 1460816 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Recovery of negative electron affinity by annealing on (111) oxidized diamond surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Recovery of negative electron affinity by annealing on (111) oxidized diamond surfaces Recovery of negative electron affinity by annealing on (111) oxidized diamond surfaces](/preview/png/702896.png)
چکیده انگلیسی
We discovered that oxidised (111) p-type boron-doped homoepitaxial diamond film surfaces grown by chemical vapor deposition (CVD) recover negative electron affinity (NEA) after annealing the samples in vacuum or under an Ar atmosphere. On the other hand, (001) p-type boron-doped homoepitaxial CVD diamond surfaces do not show NEA recovery. The oxidised (111) surface possesses positive electron affinity of + 0.6 eV, whereas the subsequently annealed surface has a negative electron affinity of − 0.8 eV, indicating a partial hydrogen termination condition that is supported by XPS results. These distinct behaviours should be taken into consideration for investigating the surface electronic properties of diamond.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 18, Issues 2–3, February–March 2009, Pages 206–209
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 18, Issues 2–3, February–March 2009, Pages 206–209
نویسندگان
D. Takeuchi, S.-G. Ri, N. Tokuda, S. Yamasaki,