کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
703326 | 1460821 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic properties of boron-doped {111}-oriented homoepitaxial diamond layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electronic properties of boron-doped {111}-oriented homoepitaxial diamond layers Electronic properties of boron-doped {111}-oriented homoepitaxial diamond layers](/preview/png/703326.png)
چکیده انگلیسی
p-type diamond single crystal layers were grown by Microwave Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (MPCVD) on {111}-oriented Ib-type diamond substrates. The variation of the gas-phase boron-to-carbon atomic concentration ratio from 0.1 ppm to 104 ppm led to solid state incorporations of boron ranging from the 8 × 1015 cm− 3 to 3 × 1021 cm− 3. Low temperature cathodoluminescence spectra in the bandgap region are shown to yield a reliable estimate of the quality of the layers and of the neutral acceptor concentration up to the metal–insulator transition. Temperature-dependent resistivity and Hall effect measurements allow a discussion of the relevance of the various charge carrier scattering mechanisms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 15, Issues 4–8, April–August 2006, Pages 582–585
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 15, Issues 4–8, April–August 2006, Pages 582–585
نویسندگان
C. Tavares, F. Omnès, J. Pernot, E. Bustarret,