کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
703516 | 1460817 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SAW devices based on ZnO inclined c-axis on diamond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A thin zinc oxide (ZnO) films with inclined c-axis are deposited on the nucleation side of self-standing diamond substrates with. r.f. magnetron sputtering and a zinc-oxide target. The films are characterized by X-ray diffraction (XRD) with a χ-scan analysis. We have measured a c-axis angle of inclination of 45° in the case of ZnO/Diamond structure. The velocity and the electromechanical coupling coefficient is theoretically determined by the effective piezoelectric permittivity method for three angles of inclination (0°, 45°, 90°). Several SAW devices were developed on the ZnO(45°)/diamond structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 7–10, July–October 2008, Pages 1420–1423
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 7–10, July–October 2008, Pages 1420–1423
نویسندگان
S. Bensmaine, L. Le Brizoual, O. Elmazria, J.J. Fundenberger, M. Belmahi, B. Benyoucef,