Defects in flexoelectric solids

گفته می شود که جامد به صورت فلکسوالکتریک است، در حالی که قطبش نسبت به گرادیان بار است. از آنجایی که شیب های کرنش در نزدیکی نقص ها بزرگ هستند، انتظار داریم که اثر فلکسوکلریک در آن برجسته و پراکندگی در فاصله های بسیار بزرگتر از یک مقیاس طول فلوتوکسل باشد. در این جا، این انتظار را با محاسبه میدان های جابجایی، استرس و قطبش در نزدیکی نقص در جامد های فلکسوکلریک اندازه گیری می کنیم. برای نقصهای نقطه ای برخی از نتایج به خوبی شناخته شده از کشش شیب کششی و نظریه های پیزوالکتریک غیر محلی، اما با مقیاس طول های طولانی در اصطلاحات نهایی، بهبود می یابیم. برای تخریب لبه، ما نشان می دهیم که پتانسیل الکتریکی حداکثر در مجاورت هسته تخریب است. ما همچنین چگالی بار قطبشده لبه جابجایی لبه را در یک جامد فلوتوکسل ایزوتروپیک تخمین می زنیم که با برخی از اندازه گیری ها در یخ موافق است. ما یک تحلیل ضریب ناپیوسته از نقاط نوک تیز را در جامدات فلکسوکلریک انجام می دهیم و نشان می دهد که نتایج ما برخی از ویژگی های راه حل در کشش شیب کششی و پیزو الکتریکی را به اشتراک می گذارد. ما همچنین میزان انتشار انرژی را برای ترک با استفاده از شرایط محدود مرز چپ ساده محاسبه می کنیم و از معیارهای کلاسیک برای رشد ترک برای پیش بینی استفاده می کنیم. تجزیه و تحلیل ما می تواند به عنوان نقطه شروع برای پیشرفته تر تجزیه و تحلیل و محاسبات درمان نقص در مواد جامد فلکسوکریک است که در حال افزایش توجه در زمینه علوم نانو و فناوری نانو.