کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
723476 | 892347 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strained silicon — the key to sub-45 nm CMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Strain techniques, such as incorporating SiGe, should boost performance in future generations of CMOS silicon transistors without the need to radically scale transistor dimensions. Although strain is already used for some technology nodes, more knowledge needs to be developed, e.g. on the relationship between strain, carrier mobility and device performance, to employ it further. Also, combination with other options, such as MuGFETs, high-k materials and metal gates, is being considered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: III-Vs Review - Volume 19, Issue 3, April 2006, Pages 28–31
Journal: III-Vs Review - Volume 19, Issue 3, April 2006, Pages 28–31
نویسندگان
Els Parton, Peter Verheyen,