کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
724010 | 1461152 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Semiconductor hardnut
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Silicon carbide (SiC) has been proposed for some time as a substrate for high-speed, high-temperature devices, and products are now entering the market. Dr Mike Cooke reviews some of SiC's device opportunities and tough process challenges.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: III-Vs Review - Volume 18, Issue 9, December 2005–January 2006, Pages 40–44
Journal: III-Vs Review - Volume 18, Issue 9, December 2005–January 2006, Pages 40–44
نویسندگان
Mike Cooke,