کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
741404 | 894237 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gate modulation in carbon nanotube field effect transistors-based NH3 gas sensors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Single-walled carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) are used as NH3 gas sensors and their sensing performances are studied in terms of gate biasing effect. By applying a positive gate bias, a high sensitivity of 178.5% per ppm is achieved. The reversibility of the CNTFET sensors is also found to be significantly improved under the appropriate positive gate voltages. In this study, an in-depth understanding of how the electrical properties of the CNTFETs are affected by NH3 gas is gained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 132, Issue 1, 28 May 2008, Pages 191–195
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 132, Issue 1, 28 May 2008, Pages 191–195
نویسندگان
Ning Peng, Qing Zhang, Yi Chau Lee, Ooi Kiang Tan, Nicola Marzari,