کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
744934 | 894408 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MOS device chemical response reversal with temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Biased above threshold (VT), pulsed photocurrent (u) measurements on windowed silicon Pd gate MOS capacitors are shifted (ΔV) negatively by H2/N2, whereas Au gates shift positively under NO2/air. Below VT, the shifts are reversed by adjustments of interface state population. Minor temperature increases may coax the device from inversion to depletion, inducing sign reversal of the chemical response.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 144, Issue 2, 17 February 2010, Pages 457–461
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 144, Issue 2, 17 February 2010, Pages 457–461
نویسندگان
Rina Lombardi, Ricardo Aragón,