![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Development, characterisation and simulation of wafer bonded Si-on-SiC substrates
Keywords: خازن های MOS; Silicon carbide; Wafer bonding; Si/SiC; Power electronic devices; Interfacial charge; MOS capacitors;