کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010380 | 1462204 | 2017 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single frequency correction based on three-element model for thin dielectric MOS capacitor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Single frequency correction based on three-element model for thin dielectric MOS capacitor Single frequency correction based on three-element model for thin dielectric MOS capacitor](/preview/png/5010380.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 129, March 2017, Pages 97-102
Journal: Solid-State Electronics - Volume 129, March 2017, Pages 97-102
نویسندگان
Xizhen Zhang, Huichao Zhu, Chuanhui Cheng, Tao Yu, Daming Zhang, Hua Zhong, Xiangping Li, Yi Cheng, Xuesong Xu, Lihong Cheng, Jiashi Sun, Baojiu Chen,