کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7700751 | 1496821 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A macroscopic model for vertical graphene-organic semiconductor heterojunction field-effect transistors
ترجمه فارسی عنوان
یک مدل ماکروسکوپی برای ترانزیستورهای میدان مغناطیسی نیمه هادی گرافن عمودی گرافن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستورهای میدان اثر، ساختارهای عمودی، اتصال گرافن-آلی، مدار معادل، مدل دستگاه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 36, September 2016, Pages 45-49
Journal: Organic Electronics - Volume 36, September 2016, Pages 45-49
نویسندگان
Chang-Hyun Kim, Htay Hlaing, Ioannis Kymissis,