کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7700829 | 1496825 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High operational stability of solution-processed organic field-effect transistors with top-gate configuration
ترجمه فارسی عنوان
پایداری عملیاتی بالا ترانزیستورهای فیلد اثر آلایشی با محلول پیکربندی بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستور اثر فیزیکی آلی، پیکربندی بالا دروازه تحرک بالا، فشار اضطراب،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 32, May 2016, Pages 65-69
Journal: Organic Electronics - Volume 32, May 2016, Pages 65-69
نویسندگان
Kenichiro Takagi, Takashi Nagase, Takashi Kobayashi, Hiroyoshi Naito,