کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7728109 | 1497908 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thin films of pure vanadium nitride: Evidence for anomalous non-faradaic capacitance
ترجمه فارسی عنوان
فیلم های نازک از نیترید وانادیم خالص: شواهدی برای ظرفیت غیرواقعی غیر فارادیایی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ابرخازنها، نیترید وانادیم، فیلم های نازک طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ایکس،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
چکیده انگلیسی
An impressive gravimetric capacitance of 1300 F gâ1 (surface capacitance â¼3.3 mF cmâ2) reported by Choi et al., 2006 for nanosized vanadium nitride has stimulated considerable interest in vanadium nitride as a potential electrode material for energy storing systems - supercapacitors. The postulated mechanism of charge storage in vanadium nitride materials involves redox reactions in the thin surface layer of vanadium oxide while the core vanadium nitride serves exclusively as a conducting platform. In this study we have synthesized pure oxygen-free vanadium nitride films and have found that they are capable of delivering a surface capacitance of up to â¼3 mF cmâ2 at a potential scan rate of 3 mV sâ1 and â¼2 mF cmâ2 at a potential scan rate of 1 V sâ1 in aqueous electrolytes. Combining electrochemical testing with X-ray photoelectron spectroscopy characterization has revealed that redox reactions play no or little role in the electrochemical response of pure VN, in contrast to the common wisdom stemming from the electrochemical response of oxygen-containing films. An alternative charge storage mechanism - space charge accumulation in a subsurface layer of â¼100 nm - was put forward to explain the experimentally observed capacitance of VN films in aqueous electrolytes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Power Sources - Volume 324, 30 August 2016, Pages 439-446
Journal: Journal of Power Sources - Volume 324, 30 August 2016, Pages 439-446
نویسندگان
Oleksandr Bondarchuk, Alban Morel, Daniel Bélanger, Eider Goikolea, Thierry Brousse, Roman Mysyk,