کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7732121 | 1497947 | 2015 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physical justification for ionic conductivity enhancement at strained coherent interfaces
ترجمه فارسی عنوان
توجیه فیزیکی برای افزایش هدایت یونی در رابطهای منسجم ولتاژ
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
چکیده انگلیسی
Introducing lattice mismatch-induced tensile strain at hetero-interfaces may be an efficient approach to enhance ionic conductivity at moderate temperatures. Extensive theoretical and experimental research has focused on strain-versus-ionic conductivity correlations. However, the correlation between strain and ionic conductivity still lacks a systematic and quantitative investigation. In this report, we derive an analytical expression to evaluate quantitatively the strain-induced enhancement in ionic conductivity. We demonstrate that simulation and experimental data in the literature, are well explained in the framework of our derived expressions. Our studies provide a powerful platform for quantitatively designing and engineering heterostructure interfaces for a number of applications, including fuel cells/batteries and optical/magnetic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Power Sources - Volume 285, 1 July 2015, Pages 37-42
Journal: Journal of Power Sources - Volume 285, 1 July 2015, Pages 37-42
نویسندگان
Kechun Wen, Kelvin H.L. Zhang, Wei Wang, Junhao Lin, Weiqiang Lv, Bin Wang, Zhiming M. Wang, James H. Dickerson, Xin Guo, Weidong He,