کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7734326 | 1497958 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance improvement of inert-substrate-supported tubular single cells via microstructure modification
ترجمه فارسی عنوان
بهبود عملکرد سلول های تک سلولی با استفاده از سلول های بنیادی غیر مستقیم از طریق اصلاح ریزساختار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ریز ساختار، حامی زیرمجموعه سلول تک سلولی، پوشش دو لایه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
چکیده انگلیسی
Inert-substrate-supported tubular single cells, with a configuration of porous yttria-stabilized zirconia (YSZ) supporter/Ni anode current collector/Ni-Ce0.8Sm0.2O1.9 anode/YSZ/Ce0.8Sm0.2O1.9 bi-layer electrolyte/La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3âδ cathode, have been fabricated. The Ni anode current collector layer is prepared by a dip-coating process, while the cathode layer is produced by drop-coating and dip-coating processes, respectively. The electrochemical performances of the single cells are examined with respect to the microstructures of these two layers. The results indicate a significant effect of the Ni layer thickness on its sheet resistance and the ohmic resistance of the single cells. The preferred dip-coating time of the Ni layer is determined to be four. At 800 °C in hydrogen fuel, the single cell with a Ni layer dip-coated for four times and a drop-coated cathode layer exhibits a maximum power density of 500 mW cmâ2. The electrochemical performance of the single cell is further enhanced by modifying its cathode microstructure. Preparing the cathode layer by dip-coating for four times allows a decrease of the overall electrode polarization by 25% and an increase of the maximum power density to 555 mW cmâ2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Power Sources - Volume 274, 15 January 2015, Pages 799-805
Journal: Journal of Power Sources - Volume 274, 15 January 2015, Pages 799-805
نویسندگان
Kai Zhao, Bok-Hee Kim, Qing Xu, Byung-Guk Ahn,