کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7747366 | 1498327 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature dielectric properties of Ce0.8Gd0.2O1.9 films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Low T dielectric properties of Ce0.8Gd0.2O1.9 films with/out substrate were measured. ⺠The grain boundary conductivity of both types of films freezes out below 150 K. ⺠Below 150 K, the effective dielectric constant of both types of films is 20.5±2.5. ⺠The dielectric constant of self-supported films is weakly unstable between 80-140 K. ⺠Defect ordering may cause the unstable dielectric constant of self-supported films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Ionics - Volume 211, 15 March 2012, Pages 12-19
Journal: Solid State Ionics - Volume 211, 15 March 2012, Pages 12-19
نویسندگان
Victor Shelukhin, Ilya Zon, Ellen Wachtel, Yishay Feldman, Igor Lubomirsky,