کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7833411 1503521 2018 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultraviolet-light-driven carrier density modulation of graphene based field effect transistors under oxygen- and argon atmosphere
ترجمه فارسی عنوان
مدولاسیون تراکم حامل نوری از طریق نور بر روی ترانزیستورهای اثر میدان گرافنی تحت فضای اکسیژن و آرگون
کلمات کلیدی
گرافن، بارگیری غلظت حامل، قابلیت تشخیص دوپینگ، طیف سنجی رامان،
ترجمه چکیده
تنظیم دقیق غلظت حامل بار با گرافن یک عامل ضروری برای ادغام دستگاه های الکترونیکی و اپتوالکترونیک بسیار کارآمد است. در اینجا ما نشان می دهد که تونپاسیون دوپینگ عمیق از نور ماوراء بنفش از ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی گرافن در حضور اتمسفر اکسیژن و آرگون است. اثر دوپینگ و برگشت پذیری آن از طیف سنجی رامان تایید شده است. این نتایج بیشتر با اندازه گیری های حمل و نقل برق تایید می شود. یافته های ما یک روش دوپینگ آزاد، کارآمد، پایدار و نقص را برای تنظیم خواص الکتریکی گرافن برای کاربرد بالقوه آن در تکنولوژی مورد نظر ارائه می دهد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
The fine-tuning of graphene charge carrier concentrations is an essential factor to approach the integration of highly efficient electronic and optoelectronic devices. Here, we demonstrate the deep ultraviolet light driven doping tunability of graphene-based field effect transistor in presence of oxygen and argon atmosphere. The doping effect and its reversibility are confirmed from the Raman spectroscopy. These results are further corroborated by electrical transport measurements. Our findings provide an efficient, stable and defects free doping methodology to tailor the electrical properties of graphene for its potential application in desired technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 451, 1 September 2018, Pages 40-44
نویسندگان
, , ,