کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7834150 | 1503527 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Confined selective lateral epitaxial growth of 16-nm thick Ge nanostructures on SOI substrates: Advantages and challenges
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Confined selective lateral epitaxial growth of 16-nm thick Ge nanostructures on SOI substrates: Advantages and challenges Confined selective lateral epitaxial growth of 16-nm thick Ge nanostructures on SOI substrates: Advantages and challenges](/preview/png/7834150.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 445, 1 July 2018, Pages 77-80
Journal: Applied Surface Science - Volume 445, 1 July 2018, Pages 77-80
نویسندگان
Rami Khazaka, Yann Bogumilowicz, Denis Rouchon, Hervé Boutry, Zdenek Chalupa, Valérie Lapras, Bernard Prévitali, Nicolas Chevalier, Anne Marie Papon, Sylvain David, Sylvain Maitrejean,