کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7836475 | 1503539 | 2018 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A resistance ratio change phenomenon observed in Al doped ZnO (AZO)/Cu(In1-xGax)Se2/Mo resistive switching memory device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A resistance ratio change phenomenon observed in Al doped ZnO (AZO)/Cu(In1-xGax)Se2/Mo resistive switching memory device A resistance ratio change phenomenon observed in Al doped ZnO (AZO)/Cu(In1-xGax)Se2/Mo resistive switching memory device](/preview/png/7836475.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 433, 1 March 2018, Pages 535-539
Journal: Applied Surface Science - Volume 433, 1 March 2018, Pages 535-539
نویسندگان
Tao Guo, Bai Sun, Shuangsuo Mao, Shouhui Zhu, Yudong Xia, Hongyan Wang, Yong Zhao, Zhou Yu,