کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7845371 | 1508451 | 2010 | 53 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fullerene adsorption on semiconductor surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
C60Photoemission - برون پاشی نوری یا انتشار نوریAdsorption - جذبX-ray absorption - جذب اشعه ایکسChemisorption - جذب سطحی شیمیاییMolecular manipulation - دستکاری مولکولیelectronic structure - ساختار الکترونیکیSingle molecule spectroscopy - طیف سنج تک سلولیSurface science - علم سطحیFullerene - فولرنScanning tunnelling microscopy - میکروسکوپ تونلی اسکن کردنScanning probe microscopy - میکروسکوپ پروبی روبشیSemiconductor - نیمرسانا یا نیمههادی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Fullerene adsorption on semiconductor surfaces Fullerene adsorption on semiconductor surfaces](/preview/png/7845371.png)
چکیده انگلیسی
The adsorption of C60 and its “siblings”-including the higher fullerenes, endofullerenes, substitutionally doped species, and functionalised derivatives-on semiconductor surfaces has been studied for almost two decades. A broad range of techniques, spanning scanning probe microscopy (and the associated single molecule characterisation tools) to synchrotron-based methods such as photoemission and X-ray absorption spectroscopy, has been used to elucidate very many aspects of the chemical behaviour, electronic properties, and self-assembly of fullerenes on elemental and compound semiconductor surfaces. The fullerene-on-silicon system has also played a pivotal role in the development of room temperature molecular manipulation protocols. Here we review key advances (both experimental and theoretical) in our understanding of the fullerene-semiconductor interface over the last eighteen years. While the interaction of fullerene molecules with clean and adsorbate-covered silicon surfaces forms a key focus of the review, adsorption on germanium, III-V (GaAs, InP), and IV-VI (GeS) surfaces is also covered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science Reports - Volume 65, Issue 7, 15 July 2010, Pages 175-227
Journal: Surface Science Reports - Volume 65, Issue 7, 15 July 2010, Pages 175-227
نویسندگان
Philip J. Moriarty,