کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7845602 | 1508482 | 2007 | 27 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metallization and nanostructuring of semiconductor surfaces by galvanic displacement processes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The deposition of metals on semiconductors encompasses a broad range of technologically important processes, with applications ranging from electronic devices to chemical sensors. Recent years have witnessed a surge of research activities in galvanic displacement processes on semiconductor substrates. After a brief review of the fundamental aspects underlying galvanic displacement processes on semiconductor surfaces, this paper discusses applications to micro- and nanoscale devices, including schemes developed for the metallization and nanopatterning of semiconductor substrates with high selectivity and with optimal interfacial properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science Reports - Volume 62, Issue 12, 31 December 2007, Pages 499-525
Journal: Surface Science Reports - Volume 62, Issue 12, 31 December 2007, Pages 499-525
نویسندگان
Carlo Carraro, Roya Maboudian, Luca Magagnin,