کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7886545 | 1509786 | 2018 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ferroelectric yttrium doped hafnium oxide films from all-inorganic aqueous precursor solution
ترجمه فارسی عنوان
فیلم های اکسید هفنیوم اترید دی اکسید کربن از راه حل پیش ماده آلی غیر آلی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
We report a unique aqueous solution deposition method to prepare yttrium doped hafnium oxide (Y:HfO2) thin films using all-inorganic reagents. The composition and chemical bonding features of the films were investigated using X-ray photoelectron spectroscopy. The Y:HfO2 film was integrated into metal-insulator-semiconductor (MIS) structure capacitors for electrical measurements. A transition of the polarization behavior from apparent ferroelectric-type to linear dielectric-type was observed for films with thickness increasing from 25â¯nm to 80â¯nm, which is correlated to the dominant crystal structure change from high-symmetry phase to monoclinic phase evidenced by grazing incidence X-ray diffraction analysis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 44, Issue 12, 15 August 2018, Pages 13867-13872
Journal: Ceramics International - Volume 44, Issue 12, 15 August 2018, Pages 13867-13872
نویسندگان
Xuexia Wang, Dayu Zhou, Shuaidong Li, Xiaohua Liu, Peng Zhao, Nana Sun, Faizan Ali, Jingjing Wang,