کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7895027 | 1509996 | 2015 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling defect transport during Cu oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modeling defect transport during Cu oxidation Modeling defect transport during Cu oxidation](/preview/png/7895027.png)
چکیده انگلیسی
- Copper oxidation is studied in high temperature, oxygen rich environments.
- A fundamental model of Cu oxidation, based on defect chemistry is developed.
- Vacancy diffusion coefficients in cuprous and cupric oxide are determined.
- The reaction enthalpy of vacancies in CuO is estimated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Corrosion Science - Volume 99, October 2015, Pages 53-65
Journal: Corrosion Science - Volume 99, October 2015, Pages 53-65
نویسندگان
Eli A. Goldstein, Turgut M. Gür, Reginald E. Mitchell,