کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7899036 | 1510142 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Densification and microstructure evolution during sintering of silicon under controlled water vapor pressure
ترجمه فارسی عنوان
تنش و تکامل میکروارگانیسم در طی پخت سیلیکن تحت فشار بخار کنترل شده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سیلیکون، پختن کنترل اتمسفر، تکامل میکروارگانیسم، سینتیک،
ترجمه چکیده
پودر پودر سیلیکون خوب تحت فشارهای کنترل شده بخار آب با استفاده از رویکرد نمودار دما و فشار پخت بررسی شد. فشار بخار آب اطراف نمونه از تجزیه و تحلیل ترموگرافی و با توجه به مقدار آب شار جریان گاز با یک مدل انتقال جرم ساده محاسبه شد. ضخامت لایه سیلیکا که ذرات سیلیس را پوشش می دهد، توسط فشار بخار آب کنترل می شود و تکامل ریزساختار و تراکم پخت در طی پخت می تواند کنترل شود. تثبیت لایه سیلیس به طور حتم مانع تراکم دانه می شود و باعث می شود تا فشرده سازی بهتر فشرده سازان در فضای رطوبت در مقایسه با جو خشک شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
Sintering of fine silicon powder was studied under controlled water vapor pressures using the Temperature-Pressure-Sintering Diagram approach. The water vapor pressure surrounding the sample was deduced from thermogravimetric analysis and related to the water content of the incoming gas flux with a simple mass transfer model. The thickness of the silica layer covering silicon particles was then monitored by the water vapor pressure and the microstructure evolution and densification during sintering could be controlled. Stabilizing the silica layer indeed inhibits grain coarsening and allows better densification of the compacts under humidified atmosphere as compared to dry atmosphere.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of the European Ceramic Society - Volume 33, Issues 15â16, December 2013, Pages 2993-3000
Journal: Journal of the European Ceramic Society - Volume 33, Issues 15â16, December 2013, Pages 2993-3000
نویسندگان
J.M. Lebrun, A. Sassi, C. Pascal, J.M. Missiaen,