کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7901960 | 1510439 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Raman spectroscopic investigation of boron doped hydrogenated amorphous silicon thin films
ترجمه فارسی عنوان
بررسی طیف سنجی رامان از فیلم های نازک سیلورف هیدروژنه بور از طریق بور
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
ما در مورد اثرات رضایت هیدروژنی و دوپینگ بور بر خواص ساختاری فیلم های نازک سیلیکون آمورف تهیه شده توسط پلاسمای افزایش بخار شیمیایی تهیه شده گزارش می کنیم. مطالعات رامان بر روی نمونه هایی که در هر دو غلظت بور و رقت هیدروژن پیش ماده سیلن که در دو دما رشد می کند متفاوت است. تغییرات حالت های نوری و صوتی فونون عرضی برای تعیین تأثیر بور و هیدروژن در نظم کوتاه و متوسط ساختار بلوری آمورف مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که با افزایش رقت هیدروژن و یا دمای رشد، شرایط کوتاه و متوسط می تواند بهبود یابد. با این حال، اثر دمای رشد بر توانایی هیدروژن برای بهبود نظم کوتاه و متوسط می شود با افزایش دمای رشد افزایش می یابد. این به تفکیک گونه های ضعیف باند در دمای بالاتر رشد منجر می شود، که منجر به جذب کمتر هیدروژن می شود. علاوه بر این، برای رقیق سازی ثابت هیدروژن، افزایش دوپینگ بور باعث کاهش در نظم نزدیک به دلیل بازسازی چسبندگی در فیلم نازک می شود. در نهایت، یک رابطه مستقیم بین مقاومت الکتریکی و نظم کوتاه مدت برای نمونه هایی از رقیق شدن هیدروژن متفاوت در دماهای بالاتر رشد دیده می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
We report on the effects of hydrogen dilution and boron doping on the structural properties of amorphous silicon thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition. Raman studies were performed on samples differing in both boron concentration and hydrogen dilution of the silane precursor prepared at two growth temperatures. Changes in the transverse optical and acoustic phonon modes were analyzed to determine the effect of boron and hydrogen on short- and mid-range order of the amorphous crystal structure. The results show that, with either an increase of hydrogen dilution or growth temperature, the short- and mid-range order improves. However, the effect of growth temperature on the ability of hydrogen to improve the short- and mid-range order decreases as the growth temperature is increased. This is attributed to dissociation of weakly bonded species at higher growth temperature, leading to less hydrogen being absorbed. In addition, for fixed hydrogen dilution, an increase in boron doping results in a decrease in the short-range order due to a rearrangement of the chemical bonding in the thin film. Finally, a direct correlation is seen between the electrical resistivity and the short-range order for samples of differing hydrogen dilution grown at the higher growth temperatures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 403, 1 November 2014, Pages 80-83
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 403, 1 November 2014, Pages 80-83
نویسندگان
K. Shrestha, V.C. Lopes, A.J. Syllaios, C.L. Littler,