کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7906041 | 1510752 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of growing green-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells on stress-relieving superlattices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Optimization of photoluminescence intensity of green-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells deposited on a template consisting of low-indium-content short-period superlattice was studied by growing the structures at different temperatures for active layer and template. The importance of carrier localization is revealed. The temperatures for growing the template and the active layer predominantly influence large-scale and small-scale potential fluctuations experienced by nonequilibrium carriers, respectively, while the difference between the temperatures impacts the formation of nonradiative recombination centers, and has to be maintained small to ensure high photoluminescence intensity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 82, August 2018, Pages 71-74
Journal: Optical Materials - Volume 82, August 2018, Pages 71-74
نویسندگان
J. MickeviÄius, T. Grinys, A. Kadys, G. Tamulaitis,