کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7911255 | 1510857 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of high aspect ratio gallium nitride nanostructures by photochemical etching for enhanced photocurrent and photoluminescence property
ترجمه فارسی عنوان
ساخت نانوساختارهای نیترید گالیم با نسبت بالا نسبت به عایق های فتوشیمیایی برای افزایش جریان فوتوایی و ویژگی فوتولومینسانس
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
High aspect ratio GaN nanostructures were fabricated by photochemical etching using hydrofluoric acid as the etchant.133
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 146, 15 March 2018, Pages 115-118
Journal: Scripta Materialia - Volume 146, 15 March 2018, Pages 115-118
نویسندگان
Miao-Rong Zhang, Qing-Mei Jiang, Fei Hou, Zu-Gang Wang, Ge-Bo Pan,