کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7924203 1511968 2015 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface state density evaluation of high quality hetero-epitaxial 3C-SiC(0 0 1) for high-power MOSFET applications
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Interface state density evaluation of high quality hetero-epitaxial 3C-SiC(0 0 1) for high-power MOSFET applications
چکیده انگلیسی
Figure shows the normalized capacitance (C/COX) versus voltage (V) for the MOS capacitors on 3 μm, 7 μm thick 3C-SiC films and silicon (as reference), respectively. The shift of the curve respect to the reference is due to the presence of fixed and/or trapped charge in the oxide and interface trapped charge, due to the presence of interface states of density Dit, located at the semiconductor/oxide interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 198, August 2015, Pages 14-19
نویسندگان
, , , , , , , ,