کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7924203 | 1511968 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface state density evaluation of high quality hetero-epitaxial 3C-SiC(0Â 0Â 1) for high-power MOSFET applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Figure shows the normalized capacitance (C/COX) versus voltage (V) for the MOS capacitors on 3 μm, 7 μm thick 3C-SiC films and silicon (as reference), respectively. The shift of the curve respect to the reference is due to the presence of fixed and/or trapped charge in the oxide and interface trapped charge, due to the presence of interface states of density Dit, located at the semiconductor/oxide interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 198, August 2015, Pages 14-19
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 198, August 2015, Pages 14-19
نویسندگان
R. Anzalone, S. Privitera, M. Camarda, A. Alberti, G. Mannino, P. Fiorenza, S. Di Franco, F. La Via,