کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7924227 | 1511968 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance characterization of gallium nitride HEMT cascode switch for power conditioning applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A hybrid cascoded GaN switch configuration is demonstrated in power conversion applications. A novel metal package is proposed for the packaging of a D-mode GaN MIS-HEMT cascoded with an integrated power MOSFET and a SBD. The normally-off cascode circuit provides a maximum drain current of 14.6Â A and a blocking capability of 600Â V. Analysis of 200Â V/1Â A power conversion characteristics are discussed and show the excellent switching performance in load circuits. Switching characteristics of the integral SiC SBD are also demonstrated. Finally, a 48-to-96Â V boost converter is used to evaluate the benefit of GaN cascode switches. These results show that high-voltage GaN-HEMTs can be switching devices for an ultralow-loss converter circuit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 198, August 2015, Pages 43-50
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 198, August 2015, Pages 43-50
نویسندگان
Po-Chien Chou, Stone Cheng,