کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7924425 | 1512277 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of silicon chip soldering in high-power transistor housing
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه لحیم کاری تراشه سیلیکون در مسکن ترانزیستور با قدرت بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
دستگاه سیلیکون، نصب تراشه های دستگاه سیلیکون، آلیاژ لحیم کاری فلزی سازی سیلیکون، محوطه دستگاه، مقاومت حرارتی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
We experimentally assessed the effect of outer housing layer materials and back side chip metallization. For lead-silver soldering of silicon chips, the best housing is that with a nickel outer layer rather than with a gold-plated one, because the resultant thermal resistance is lower and the absence of gold makes the technology cheaper. We obtained a 0.6Â K/W thermal resistance for a 24Â mm2 chip area.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 3, Issue 3, September 2017, Pages 117-121
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 3, Issue 3, September 2017, Pages 117-121
نویسندگان
Vasily S. Anosov, Denis V. Gomzikov, Maxim I. Ichetovkin, Lev A. Seidman, Roman I. Tychkin,