کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7924468 | 1512283 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High resolution X-ray diffraction study of proton irradiated silicon crystals
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه پراش اشعه ایکس با وضوح بالا از بلورهای سیلیکنی پروتون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
We have studied the transformation of radiation-induced defects forming as a result of proton implantation into n silicon crystals with a resistivity of 100 Ω cm using high resolution X-ray diffraction and shown that sequential implantation of 100, 200 and 300 keV protons with a fluence of 2.1016 cmâ2 causes the formation of a 2.4 μm thick damaged layer with a greater lattice parameter. The layer forms simultaneously with intrinsic clusters of vacancy and interstitial type radiation-induced defects. Vacuum annealing of the irradiated crystals at 600 °C increases the power of the radiation-induced defects of both types and reduces their quantity. Interstitial type defects dominate after annealing at 1100 °C. We have assessed the power of the defects at every transformation stage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 2, Issue 1, March 2016, Pages 29-32
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 2, Issue 1, March 2016, Pages 29-32
نویسندگان
Igor S. Smirnov, Irina G. Dyachkova, Elena G. Novoselova,