کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7930101 1512581 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Annealing and quenching effect in the localized states emission on nanosilicon fabricated by pulsed laser
ترجمه فارسی عنوان
اثر بازپخت و آبدهی در انتشار حالات موضعی در نانوسیلیکون ساخته شده بوسیله لیزر پالس
کلمات کلیدی
بازپخت لیزری،اثرات بازپخت و آبدهی،ساختار شبکه ای پلاسمونی ، نانوسیلیکون
ترجمه چکیده
ساختار شبکه ای پلاسمونی که با لیزر پالس تولید شده ، در تصویر اثر بازتاب تالبوت مشاهده گردید، که میتواند برای ساخت نانو ساختارهای سیلیکون استفاده شود.جالب است که اثرات بازپخت و آبدهی به طور آشکاری بر انتشار حالات موضعی در سیلیکون تهیه شده با لیزر پالس اثر گذار است،که در آن پارامترهای باز پخت، مانند:دما و زمان مهم هستند. مکشوف گردید که بازپخت لیزری روش خوبی برای جایگزینی روش بازپخت سنتی در کوره، مخصوصا برای باز پخت سریع است.یک مدل فیزیکی برای توضیح اثرات بازپخت و آبدهی ، در انتشار حالات موضعی در نانوسیلیکون، ساخته شده است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش مقاله
اثر بازپخت و آبدهی در انتشار حالات موضعی در نانوسیلیکون ساخته شده بوسیله لیزر پالس
چکیده انگلیسی
Plasmonic lattice structure induced by pulsed laser was observed in the Talbot reflection effect image, which could be used to fabricate nanostructures on silicon. It is interesting that annealing and quenching effects obviously affect the localized states emission on nanosilicon prepared by pulsed laser, in which the annealing parameters are important, such as temperature and time. It is found that the laser annealing is a good way to replace the traditional annealing way in furnace, especially for rapidly annealing. A physical model is made to explain the annealing and quenching effects in the localized states emission on nanosilicon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 342, 1 May 2015, Pages 79-82
نویسندگان
, , , , ,