کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
795157 | 1466758 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure and luminescent properties of GaN nanorods grown by magnetron sputtering and ammoniating technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی صنعتی و تولید
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A novel rare earth metal seed Tb was employed as the catalyst to grow GaN nanorods. Large-scale GaN nanorods were synthesized successfully through ammoniating Ga2O3/Tb films sputtered on Si(1 1 1) substrates. Studies by X-ray diffraction indicate that the nanorods are hexagonal GaN. Observations by scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy show that GaN is of single-crystal nanorod structure. Photoluminescence spectrum shows the products possess good luminescent properties. The growth mechanism of GaN nanorods is also discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Materials Processing Technology - Volume 208, Issues 1–3, 21 November 2008, Pages 255–258
Journal: Journal of Materials Processing Technology - Volume 208, Issues 1–3, 21 November 2008, Pages 255–258
نویسندگان
Jinhua Chen, Chengshan Xue, Huizhao Zhuang, Hong Li, Lixia Qin, Zhaozhu Yang,