کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7951811 | 1513663 | 2017 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Coupled electronic and atomic effects on defect evolution in silicon carbide under ion irradiation
ترجمه فارسی عنوان
اثرات الکترونیک و اتمی همراه با تکامل نقایص در کاربید سیلیکون تحت اشعه یون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
عیوب، اشعه یون انلینگ، کاربید سیلیکون، بازیابی دینامیک، یونیزاسیون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
شیمی مواد
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Opinion in Solid State and Materials Science - Volume 21, Issue 6, December 2017, Pages 285-298
Journal: Current Opinion in Solid State and Materials Science - Volume 21, Issue 6, December 2017, Pages 285-298
نویسندگان
Yanwen Zhang, Haizhou Xue, Eva Zarkadoula, Ritesh Sachan, Christopher Ostrouchov, Peng Liu, Xue-lin Wang, Shuo Zhang, Tie Shan Wang, William J. Weber,