کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7952812 | 1513720 | 2018 | 26 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Achieving high-performance PbS quantum dot solar cells by improving hole extraction through Ag doping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Schematic of (a) the control device structure showing the drawbacks of a high Fermi level in the PbS-EDT hole transporting layer, specifically decreased extent of the depletion region across the PbS-PbI2 and PbS-EDT interface. (b) the target device structure with a deeper, more p-type Fermi level extending the depletion region further into the PbS-PbI2 layer. These improvements in hole extraction due to incorporation of Ag in the PbS-EDT layer results in significantly improved device performance.138
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Volume 46, April 2018, Pages 212-219
Journal: Nano Energy - Volume 46, April 2018, Pages 212-219
نویسندگان
Long Hu, Zhilong Zhang, Robert J. Patterson, Yicong Hu, Weijian Chen, Chao Chen, Dengbing Li, Chao Hu, Cong Ge, Zihan Chen, Lin Yuan, Chang Yan, Ning Song, Zhi Li Teh, Gavin J. Conibeer, Jiang Tang, Shujuan Huang,