کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7953896 | 1513750 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Efficient thermoelectric performance in silicon nano-films by vacancy-engineering
ترجمه فارسی عنوان
عملکرد ترموالکتریک کارآمد در نانو فیلم های سیلیکونی با استفاده از مهندسی خلاء
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترموالکتریک، سیلیکون، هدایت حرارتی، نانو فیلم، جای خالی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
چکیده انگلیسی
Self-implantation of Si creates vacancy and interstitial defects in the Si nano-film that are slightly displaced from one-another. After short-time annealing, a net concentration of vacancies is created in the nano-film - a novel way to significantly reduce thermal conductivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Volume 16, September 2015, Pages 350-356
Journal: Nano Energy - Volume 16, September 2015, Pages 350-356
نویسندگان
Nick S. Bennett, Neil M. Wight, Srinivasa R. Popuri, Jan-Willem G. Bos,