کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7987067 | 1515170 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compositional characterization of GaAs/GaAsSb nanowires by quantitative HAADF-STEM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Sb concentration in axial GaAsSb inserts of GaAs nanowires was studied using quantitative HAADF-STEM. ⺠The Sb distribution was analysed in both axial and radial directions. ⺠Sb concentration builds up gradually along the insert and drops either gradually or abruptly, depending on the growth conditions. ⺠Sb concentration is reduced towards the outer surfaces of the nanowires. ⺠Including the static atomic displacements in the image simulations was crucial for correct compositional analysis of GaAsSb.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Micron - Volume 44, January 2013, Pages 254-260
Journal: Micron - Volume 44, January 2013, Pages 254-260
نویسندگان
H. Kauko, T. Grieb, R. Bjørge, M. Schowalter, A.M. Munshi, H. Weman, A. Rosenauer, A.T.J. van Helvoort,