کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7987709 | 1515414 | 2016 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Diamond epitaxy: Basics and applications
ترجمه فارسی عنوان
اپی تیکس الماس: مبانی و برنامه های کاربردی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
الماس، اصل رشد، کاستی، دستگاه الکترونیکی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
چکیده انگلیسی
Diamond has been used as cutting tools, and also has recently attracted extensive attention as a semiconductor. In the review, its properties and prospects of its electronic devices are shown. Then, principles of crystal growth methods, such as high-pressure, high-temperature (HPHT) and chemical vapor deposition (CVD) methods, are described. Next, current understanding of defects such as dislocations and stacking faults is described. Further, for the future electronic applications, the present status of wafer technology and impurity doping are described. Finally, the electronic devices made of diamond semiconductors are shown.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials - Volume 62, Issue 2, June 2016, Pages 317-328
Journal: Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials - Volume 62, Issue 2, June 2016, Pages 317-328
نویسندگان
Makoto Kasu,