کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7987751 1515522 2018 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect induced Anderson localization and magnetization in graphene quantum dots
ترجمه فارسی عنوان
نقص ناشی از موضع اندرسون و مغناطش در نقاط کوانتومی گرافن
کلمات کلیدی
نانوساختارها، ساختار الکترونیکی، بومی سازی، مگنتیت،
ترجمه چکیده
ما به لحاظ نظری به بررسی تأثیرات اختلالات کوتاهمدت مربوط به نقص اتمی و تعامل الکترونها با الکترونها در موقعیت محلی آندرسون و خواص مغناطیسی نقاط کوانتومی گرافن صندلی شش گوشه با استفاده از مدل هابارد پرداخته شده و پویایی بسته موج برای محاسبه طول مکان . ما مشاهده می کنیم که نقایص به طور تصادفی توزیع شده با غلظت 1 تا 5 درصد از کل اتم ها منجر به موضع گیری در کنار ساختار مغناطیسی لبه می شود. اگر چه طول های محلی سازی توسط تعاملات تحت تاثیر قرار نمی گیرد، مغناطیس زدگی و محلی سازی تقسیم شده افزایش می یابد، اگر نقص ها ناهموار بین زیر حلقه های شبکه لانه زنبوری توزیع شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش مقاله
نقص ناشی از موضع اندرسون و مغناطش در نقاط کوانتومی گرافن
چکیده انگلیسی
We theoretically investigate the effects of atomic defect related short-range disorders and electron-electron interactions on Anderson type localization and the magnetic properties of hexagonal armchair graphene quantum dots using an extended mean-field Hubbard model and wave packet dynamics for the calculation of localization lengths. We observe that randomly distributed defects with concentrations between 1 and 5% of the total number of atoms leads to localization alongside magnetic puddle-like structures. Although the localization lengths are not affected by interactions, staggered magnetism and localization are found to be enhanced if the defects are distributed unevenly between the sublattices of the honeycomb lattice.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 281, October 2018, Pages 44-48
نویسندگان
, ,