کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7988031 | 1515533 | 2018 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Type II band alignment in Ge1-x-ySixSny/Ge1-α-βSiαSnβ heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have examined type II band alignment in Ge1-x-ySixSny/Ge1-α-βSiαSβ heterojunctions grown on virtual substrates in Si platform. It is found that, for different values of x, y, α and β, direct band gap type II band line up can be achieved for both tensile and compressive strains. The calculated band gap energy corresponds to the mid infrared to far infrared regions in the electromagnetic spectrum.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 270, February 2018, Pages 155-159
Journal: Solid State Communications - Volume 270, February 2018, Pages 155-159
نویسندگان
Swagata Dey, Bratati Mukhopadhyay, Gopa Sen, P.K. Basu,