کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8012387 | 1517158 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of N-polar AlN/GaN heterojunction valance-band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The N-polar AlN/GaN heterojunctions were grown by metal organic chemical vapor deposition on planar and vicinal sapphire substrates. The valence-band offsets (VBOs) were directly determined to be 2.18 ± 0.15â¯eV and 2.05 ± 0.15â¯eV for N-polar AlN/GaN heterojunctions grown on planar and vicinal sapphire substrates by X-ray photoelectron spectroscopy measurement, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 230, 1 November 2018, Pages 135-138
Journal: Materials Letters - Volume 230, 1 November 2018, Pages 135-138
نویسندگان
Jin-Juan Du, Sheng-Rui Xu, Jin-Cheng Zhang, Pei-Xian Li, Zhi-Yu Lin, Ying Zhao, Ruo-Shi Peng, Xiao-Meng Fan, Hong-Chang Tao, Yue Hao,