کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8012527 | 1517159 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dielectric properties and resistance mechanism of BiFeO3 films with (1â¯1â¯0) orientation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The Pt/BiFeO3/La0.5Sr0.5CoO3/STO (Pt/BFO/LSCO/STO) heterojunction capacitors were fabricated on (1â¯1â¯0) SrTiO3 (STO) substrates by off-axis RF magnetron sputtering. The structure and physical properties of BiFeO3 thin films were investigated. It was found that the BFO film showed single phase (1â¯1â¯0) epitaxial perovskite structure with high crystal quality. The Pt/BFO/LSCO capacitor exhibited a saturated butterfly loop and a stable bipolar resistance switching behavior after post-annealing. The current-voltage characteristic of Pt/BFO/LSCO heterostructure is well explained by the space-charge-limited conduction mechanism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 229, 15 October 2018, Pages 312-315
Journal: Materials Letters - Volume 229, 15 October 2018, Pages 312-315
نویسندگان
J.T. Liang, J.M. Song, X.H. Dai, Y.S. Zhang, X.F. Liu, X.B. Li, J. Zhang, X.D. Meng, L. Zhao, B.T. Liu,