کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8012593 | 1517160 | 2018 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Carrier transport mechanism of Al contacts on n-type 4H-SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigated the carrier transport mechanism at Al/n-type 4H-SiC contacts. As-deposited Al exhibited the good ohmic behavior, while the thermal annealing leads the significant degradation of contact properties, i.e., the specific contact resistance was 3.97â¯Ãâ¯10â3, 4.1â¯Ãâ¯10â2, and 0.153â¯Î©â¯cm2 for the as-deposited, 200 and 400â¯Â°C-annealed condition, respectively. The ohmic mechanism of as-deposited contact could be explained by field emission model, yielding a tunneling parameter of 0.44â¯eV, i.e., the ohmic behavior is due to the tunneling through the thin barrier. The degradation of ohmic contact after thermal annealing caused by the formation of oxide layer between the Al and SiC.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 228, 1 October 2018, Pages 232-234
Journal: Materials Letters - Volume 228, 1 October 2018, Pages 232-234
نویسندگان
Seongjun Kim, Hong-Ki Kim, Seonghoon Jeong, Min-Jae Kang, Min-Sik Kang, Nam-Suk Lee, Tran Viet Cuong, Sang-Mo Koo, Hyunsoo Kim, Hoon-Kyu Shin,