کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8013200 | 1517166 | 2018 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of Al-doped zinc oxide and In-doped zinc oxide bilayer transparent conducting oxides for solar cell applications
ترجمه فارسی عنوان
خواص اکسید روی آلددئید و اکسید هیدرولیکی دو الیه اکسید روی دی اکسید روی برای کاربردهای سلول خورشیدی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Novel aluminum and indium doped zinc oxide (ZnO) bilayer transparent conducting oxide thin films was fabricated by simple sol-gel spin coating method and post-annealed at 500â¯Â°C for an hour under nitrogen ambient for solar cell applications. The structural, electrical and optical properties of both the as-deposited and annealed bilayer thin films were characterized. X-ray diffraction studies show a hexagonal wurtzite-type structure of ZnO with (0â¯0â¯2) orientation, which enhanced with annealing. In atomic force microscopy studies, minimum surface roughness was attained for Al-doped ZnO (AZO)/In-doped ZnO (IZO) bilayer TCO film compared to IZO/AZO bilayer film. The AZO/IZO film sheet resistance improved to 0.057â¯M ohm/square after post-annealing, while the single layer AZO film sheet resistance degraded upon annealing in nitrogen atmosphere. All the films had an average transmittance in the visible region over 96%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 222, 1 July 2018, Pages 50-53
Journal: Materials Letters - Volume 222, 1 July 2018, Pages 50-53
نویسندگان
Marikkannan Murugesan, Dinesh Arjunraj, J. Mayandi, Vishnukanthan Venkatachalapathy, J.M. Pearce,