کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8013757 | 1517169 | 2018 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High mobility crystalline silicon film growth below 600â¯Â°C from an Au-Si eutectic melt for TFTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the growth of a crystalline silicon thin film on buffered soda-lime glass below 600â¯Â°C from a gold (Au) - silicon (Si) eutectic melt with electron mobility of 188â¯cm2â¯Vâ1â¯sâ1 as measured by the Hall effect measurement. The film was characterized by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Raman spectroscopy, cross-section Scanning Electron Microscopy (SEM), and Transmission Electron Microscopy (TEM) all confirming a thin continuous film of highly crystalline silicon grown on buffered soda-lime glass. This is a breakthrough process that can replace low temperature polysilicon (LTPS) in thin-film transistor (TFT) fabrication for driving pixels in large displays.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 219, 15 May 2018, Pages 138-142
Journal: Materials Letters - Volume 219, 15 May 2018, Pages 138-142
نویسندگان
Pravakar Prasad Rajbhandari, Tara P. Dhakal, Ratnakar D. Vispute, Ashok Chaudhari,