کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8014627 | 1517172 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Search for potential precursors for Si-atomic layer deposition - A quantum chemical study
ترجمه فارسی عنوان
جستجوی پیش سازهای بالقوه برای رسوب لایه اتمی - مطالعه شیمیایی کوانتومی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
فیلم نازک سی، اتمسفر لایه اتمی، محاسبات با استفاده از تراکم، پیش ماده سی، غربالگری مواد،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Thin film of silicon is an interesting material for many technological applications in electronic industry and in energy harvesting technologies, but requires a method for controlled growth of thin films. The purpose of this study is to screen a wide variety of Si content precursors for Si atomic layer deposition (ALD) reactions using state-of-the-art density-functional calculations. Among the studied 85 Si content precursors we found that C7H12OSi-Methoxy-trivinyl-silane and C7H9NSi-Benzyliminosilane show positive indications for ALD reactivity for Si deposition. We believe that this finding will be helpful to develop low-cost, high-energy efficiency thin-film solar cells for future scale up implementation in photovoltaics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 216, 1 April 2018, Pages 189-192
Journal: Materials Letters - Volume 216, 1 April 2018, Pages 189-192
نویسندگان
P. Vajeeston, H. Fjellvåg, O. Nilsen,