کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8015183 | 1517174 | 2018 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical performance and stability of tungsten indium zinc oxide thin-film transistors
ترجمه فارسی عنوان
عملکرد الکتریکی و ثبات ترانزیستورهای نازک روی تیتانیوم روی اکسید تنگستن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پرتقال، نیمه هادی، فیلم های نازک
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Amorphous tungsten indium zinc oxide thin film transistors (WIZO TFTs) have been prepared using radio-frequency (RF) magnetron co-sputtering system to co-sputter indium zinc oxide (IZO) and indium tungsten oxide (IWO) targets. The electrical performance parameters and positive biased stress (PBS) test of the co-sputtered WIZO TFT were investigated to obtain better characteristics with regards to the IZO and IWO TFT counterparts. The co-sputtered TFT displayed high electrical performance (field effect mobility, µFEâ¯â¼â¯22.30â¯cm2/Vs, and sub-threshold swing, SSâ¯â¼â¯0.36â¯V/decade) and stable electrical behavior (PBS value shift, ÎVthâ¯â¼â¯1.23â¯V) than the IZO (µFEâ¯â¼â¯19.90â¯cm2/Vs, SSâ¯â¼â¯0.46â¯V/decade, ÎVthâ¯â¼â¯7.79â¯V) and IWO (conducting in nature) TFTs for its application in flexible and transparent displays.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 214, 1 March 2018, Pages 293-296
Journal: Materials Letters - Volume 214, 1 March 2018, Pages 293-296
نویسندگان
Ram Narayan Chauhan, Nidhi Tiwari, Han-Ping D. Shieh, Po-Tsun Liu,