کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
8015183 1517174 2018 14 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical performance and stability of tungsten indium zinc oxide thin-film transistors
ترجمه فارسی عنوان
عملکرد الکتریکی و ثبات ترانزیستورهای نازک روی تیتانیوم روی اکسید تنگستن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Amorphous tungsten indium zinc oxide thin film transistors (WIZO TFTs) have been prepared using radio-frequency (RF) magnetron co-sputtering system to co-sputter indium zinc oxide (IZO) and indium tungsten oxide (IWO) targets. The electrical performance parameters and positive biased stress (PBS) test of the co-sputtered WIZO TFT were investigated to obtain better characteristics with regards to the IZO and IWO TFT counterparts. The co-sputtered TFT displayed high electrical performance (field effect mobility, µFE ∼ 22.30 cm2/Vs, and sub-threshold swing, SS ∼ 0.36 V/decade) and stable electrical behavior (PBS value shift, ΔVth ∼ 1.23 V) than the IZO (µFE ∼ 19.90 cm2/Vs, SS ∼ 0.46 V/decade, ΔVth ∼ 7.79 V) and IWO (conducting in nature) TFTs for its application in flexible and transparent displays.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 214, 1 March 2018, Pages 293-296
نویسندگان
, , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت