کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8018087 | 1517231 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of Se layer thickness in two-step selenization and sulfurization of CuGa/In/Se precursors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Sputter-deposited bilayer CuGa/In precursors were coated by a Se layer with a different thickness from 0.5 to 1.5 μm to yield glass/Mo/CuGa/In/Se structure. Selenization of the precursors with a 0.5 μm-thick Se layer resulted in partial selenization with a relatively uniform distribution of Ga, whereas Cu(InGa)Se2 formed from 1.0 and 1.5 μm-thick Se layers showed complete selenization but with Ga accumulation at the bottom. Partial selenization of the Se-coated metal precursors by a 0.5 μm-thick Se layer was confirmed to yield better incorporation of S and effective re-distribution of Ga to form Cu(InGa)(Se,S)2 films with homogenous depth profiles of Ga and S.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 157, 15 October 2015, Pages 183-187
Journal: Materials Letters - Volume 157, 15 October 2015, Pages 183-187
نویسندگان
Jaseok Koo, Woo Kyoung Kim,